用三极管控制状态不方便输入电阻是关键
硅三极管发射结正向偏置电压约0.7V，伏安特性与二极管正向特性相同，Vbe电压稍微变化一些，Ib就变化很多，用Vbe控制三极管的状态很不方便，输入电压是通过输入电阻以电流的方式控制三极管的工作状态，属于电流控制型器件。BE间的电压是三极管放大电路由外电路加给三极管基极的变化电压，当基极电压于门槛电压就关断，大于门槛电压就导通。
1、…三极管焊在板子上使用万用表测BE结电压,大部分0.65V
VBE本来就是一个范围的值，硅管大概是0.50.8V，典型值是0.7V或0.5V都可以。取下测试，数字万用表提供的测试二极管的电流一般是1mA。你在电路板测试，是不是通电测试呢，如果通电测试，电路的偏置电压是不是大了些，提供的偏置电流也就大。使得结果不一样。三极管的参数不是唯一值，都是某个范围的参数。在范围内就可以了吧。
2、三极管BE间压降为0.7V左右,为什么有加大BE电压可以增大电流,BE电压不…
硅三极管BE间的门槛电压是0.7v，锗三极管BE间的门槛电压是0.2v，而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压，当外加电压小于门槛电压值时，BE是关断的没有电流。当外加电压大于门槛电时，BE开通，有电流流过，所加电压越高，电流越大，此时BE间呈现低阻状态，BE间电压只是微高于门槛电压。BE间的电压是三极管放大电路由外电路加给三极管基极的变化电压，当基极电压于门槛电压就关断，大于门槛电压就导通。
3、在三极管电路中,无论输入电压多大,Ube都在0.1~0.8内变化?还是这只是个…
在三极管电路中，对于硅管而言Ube一般都在0.65V左右，当然这是在正常工作时是这样，这是三极管的be结的特性所决定的，不存在你说的（只是个初始值的范围）。所以在对电路估算时，这个数值可直接使用。至于：无论输入电压多大，这是有条件的，必须在be极的电流容许范围以内，过电流将导致烧坏。但是我们要知道：在容许电流的范围内，这个电压变化不大。
4、三极管放大状态时各管脚电压、电流参数
电路结构不同，参数不同。be之间电压约0.6Vce之间电压大于0.7V，小于电源电压，最好在电压电压的一半。NPN管饱和时，由于be的钳位作用，那么Vbe0.7V那是肯定的(准确地说是Veb)；而NPN管饱和时C、E虽然最大限度地导通，理论上相当于开关的完全闭合。但三极管毕竞不是闸刀开关，C、E极导通后还存在导通电阻(内阻)，在Ice作用下，这个导通电阻就产Vec，教科上CE0.3V(准确地说应是EC0.3)就是Vec0.3。
测Vc0.3V．那么0.7V0.3V0.4V(Vcb)，B极电压比C极电压高0.4V这没错。只是教科书将CB间的电压说成是BC间的电压，容易让人误解。如果写书的人一定要将Veb说成Vbe、将Vec说成Vce、将Vcb说成Vbc，那么就应这样表达BE0.7V；BC0.4V；CE0.3V。
硅三极管发射结正向偏置电压约0.7V，伏安特性与二极管正向特性相同，Vbe电压稍微变化一些，Ib就变化很多，用Vbe控制三极管的状态很不方便，输入电压是通过输入电阻以电流的方式控制三极管的工作状态，属于电流控制型器件。基极电流微安级、集电极毫安级就可以工作。三极管有npn和pnp的，硅的话导通电压时0.7V了。电压高于pn结的导通电压即可导通，0.7v左右。5、三极管工作在振荡状态下时,发射结电压多少伏,集电结电压多少伏?
三极管工作在放大状态外部条件是发射结正偏，集电节反偏这里要求输入回路也就是be回路中b级电压要高于e级电压；电子技术上说的偏置是指将电路中某点施以一定电压，使这一点上的电位从零电位点偏移至预定的正电位或负电位点。不同的振荡电路有很大的不同，对于电容三点式，万用表测量发射结电压一定小于势垒电压，但是会大于0V，对于电感三点式振荡电路，发射结电压可能是负值（反偏压）。
6、三极管加入小信号后BE两端的电压是多少
三极管分压偏置电路的基极电位在静态时是0.7伏，加入交流信号后是叠加效应，叠加的信号幅度远远小于0.7伏，如果不是远远小于0.7伏的话，会使三极管进入饱和区或者截止区。交流信号正半周时VBE稍微大于0.7伏，负半周时VBE稍小于0.7伏。叠加直流信号需要直接耦合的直流放大器。小直流可以正常被放大，不会把基极电压镶嵌在其中。
7、三极管的电压求值
偏置电阻的值居然比负载电阻值小很多。这个电路的静态工作在饱和状态，这个电路画的很诡异，PR、RO代表什么意思？我老人家居然看不懂RO的含义，汗。现在都流行这么画图了么？而且，汝居然说RO4.7V，难道RO表示电压？R9和R12节点的电压恒为4.7V？其实计算三极管基极电流很简单的，be结电压降按0.65~0.7V计算，一般近似按0.7V算就行，然后用电源电压VDD减去0.7V，得到的差再除以基极电阻就得到了基极电流（基极电阻只有一个的情况下）。
